최근 뉴스에 AGESA 1.0.0.6이 발표되고 4000mhz까지 지원이 된다는 말을 들은 순간 쓰고있던

  2666mhz 커세어 LPX메모리를 처분하고 삼성 DDR4 2400mhz B-die를 구하기 위해 어제 용산에 방문했습니다.

  하단의 스펙시트를 참고하며 단면램을 구매하였습니다.

 

 

  

 이제 20nm b-die 단면램 구별법을 알아보겠습니다.

 

 위 스펙시트의 넘버와 아래 램다이 위에 인쇄된 일련번호를 비교해보면됩니다.

 제가 구매한 램은 2400mhz의 단면램이니 1Gx8 일련번호를 보면됩니다.

 

하지만 모든 일련번호가 일치하나 시리얼 중 하나가 C로 끝나니

20nm B-die가 아닌 18nm c-die 17년 19주차 생산주차램을 사게됬었습니다.

 

마찬가지로 20nm E-die도 E로 끝납니다.

 

정리하면

 

K4A4G085WA 20nm A die

K4A4G085WB 20nm B die

K4A4G085WC 20nm C die

K4A4G085WD 20nm D die

K4A4G085WE 20nm  E die

18나노도 동일

 

                                 

 

 

 

 

Taiphoon Burner라는 프로그램으로 램 다이 정보를 본 모습입니다.

  

18nm C-die도 고클럭이 잘 적용되는군요

 

3200mhz 실사입니다.

 

사양은 평범한 라이젠5 1600에 MSI B350 박격포 아틱입니다.

 

바이오스는 최신 A40 입니다. 

 

 

 

이상 글을 마치며... 읽어주셔서 감사합니다!